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2.7V वोल्टेज फ्लैश मेमोरी आईसी चिप KIOXIA/TOSHIBA TC58NVG2S0HTAI0 512MB SLC
| बनाने का कारक: | टीएसओपी |
|---|---|
| वोल्टेज: | 2.7V ~ 3.6V |
| श्रृंखला: | ट्रे |
विश्वसनीय प्रदर्शन रिले आईसी चिप DSP1-L2-DC5V-F
| जारी करने का समय: | 10 मि.से |
|---|---|
| ढांकता हुआ ताकत: | 1000VAC |
| संपर्क सामग्री: | चांदी मिश्र धातु |
विश्वसनीय आईसी रिले AQW212AZ पैनसोनिक रिले
| क्वायल प्रतिरोध: | 200Ω |
|---|---|
| इन्सुलेशन प्रतिरोध: | 100 मी |
| संपर्क सामग्री: | चांदी मिश्र धातु |
विश्वसनीय रिले आईसी चिप ALQ324 PANASONIC Repaly
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
|---|---|
| संपर्क सामग्री: | चांदी मिश्र धातु |
| क्वायल प्रतिरोध: | 2.88 किमी |
विश्वसनीय आईसी रिले JQ1P-24V-F इलेक्ट्रोमैकेनिकल रिले 24VDC 1.44KOhm 10(NO)/3(NC)A SPDT (20x10x16)Mm THT पावर रिले
| संपर्क करें प्रपत्र: | एसपीएसटी-नहीं |
|---|---|
| जारी करने का समय: | 10 मि.से |
| कुंडल शक्ति: | 0.25 डब्ल्यू |
8GB eMMC iNAND AT EM122 ग्रेड2 SDINBDG4-8G-ZAT WD/SanDisk
| ऊष्मा फैलानेवाला: | नहीं |
|---|---|
| याददाश्त क्षमता: | 8 जीबी |
| वारंटी: | जीवनभर |
मॉड्यूल मेमोरी आईसी चिप 8GB EMMC5.1 HS400 KLM8G1GETF-B041 SAMSUNG
| बनाने का कारक: | डीआईएमएम |
|---|---|
| ऊष्मा फैलानेवाला: | नहीं |
| वारंटी: | जीवनभर |
TOSHIBA KIOXIA 8GB EMMC THGBMJG6C1LBAIL
| श्रृंखला: | हाइपरएक्स फ्यूरी |
|---|---|
| बनाने का कारक: | डीआईएमएम |
| मेमोरी प्रकार: | eMMC |
TOSHIBA KIOXIA 4GB EMMC5.0 FG THGBMNG5D1LBAIT
| बनाने का कारक: | डीआईएमएम |
|---|---|
| वारंटी: | जीवनभर |
| मॉड्यूल प्रकार: | असंबद्ध |
विस्तारित जीवनकाल के लिए 64GB क्षमता के साथ EMMC मेमोरी IC चिप SDINBDG4-64G-XI1 SANDISK
| वोल्टेज: | 1.2 वी |
|---|---|
| प्रकाश नेतृत्व: | नहीं |
| मेमोरी प्रकार: | eMMC |