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AT25M01-SSHM-T माइक्रोचिप EEPROM मेमोरी चिप 1.7-5.5V 20MHz Ind Temp 8-SOIC-N

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xवर्ग | स्मृति | एमएफआर | माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी |
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पैकेट | टेप और रील (टीआर)/कट टेप (सीटी) | मेमोरी प्रकार | गैर वाष्पशील |
मेमोरी प्रारूप | EEPROM | तकनीकी | EEPROM |
मेमोरी का आकार | 1 एमबीटी | स्मृति संगठन | 128 के x 8 |
मेमोरी इंटरफ़ेस | एसपीआई | घड़ी की आवृत्ति | 20 मेगाहर्ट्ज |
वोल्टेज आपूर्ति | 1.7 वी ~ 5.5 वी | परिचालन तापमान | -40 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस (टीए) |
हाई लाइट | at25m01-sshm-t डेटाशीट,AT25M01-SSHM-T माइक्रोचिप,इप्रोम चिप |
AT25M01-SSHM-T EEPROM 1.7-5.5V, 20MHz, Ind Temp, 8-SOIC-N
विवरण:
AT25M01 1,048,576 बिट्स सीरियल इलेक्ट्रिकली इरेजेबल और प्रोग्रामेबल रीड-ओनली प्रदान करता है
मेमोरी (EEPROM) प्रत्येक 8 बिट्स के 131,072 शब्दों के रूप में व्यवस्थित।डिवाइस को कई में उपयोग के लिए अनुकूलित किया गया है
औद्योगिक और वाणिज्यिक अनुप्रयोग जहां कम-शक्ति और कम-वोल्टेज संचालन आवश्यक हैं।
डिवाइस जगह बचाने वाले 8-लीड SOIC, 8-लीड SOIJ और 8-बॉल WLCSP पैकेज में उपलब्ध है।सभी संकुल
1.7V से 5.5V तक संचालित करें।
त्वरित विवरण:
उत्पादक
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माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी
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निर्माता उत्पाद संख्या
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AT25M01-एसएसएचएम-टी
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विवरण
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आईसी EEPROM 1MBIT SPI 20MHZ 8SOIC
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विस्तृत विवरण
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EEPROM मेमोरी IC 1Mbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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उत्पाद विशेषताएं:
प्रकार
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विवरण
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वर्ग
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याद
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उत्पाद की स्थिति
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सक्रिय
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मेमोरी प्रकार
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गैर वाष्पशील
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मेमोरी प्रारूप
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EEPROM
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तकनीकी
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EEPROM
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मेमोरी का आकार
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1 एमबीटी
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स्मृति संगठन
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128 के x 8
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मेमोरी इंटरफ़ेस
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एसपीआई
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घड़ी की आवृत्ति
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20 मेगाहर्ट्ज
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चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ
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5ms
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वोल्टेज आपूर्ति
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1.7 वी ~ 5.5 वी
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परिचालन तापमान
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-40 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस (टीए)
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माउन्टिंग का प्रकार
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माउंट सतह
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पैकेज / मामला
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8-एसओआईसी (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
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आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
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8-एसओआईसी
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आधार उत्पाद संख्या
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AT25M01
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अतिरिक्त संसाधन:
गुण | विवरण |
अन्य नामों |
AT25M01-SSHM-TCT
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AT25M01-SSHM-TTR
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AT25M01-SSHM-TDKR
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मानक पैकेज | 4000 |
विशेषताएँ
• सीरियल पेरिफेरल इंटरफेस (एसपीआई) संगत
• एसपीआई मोड 0 (0,0) और 3 (1,1) का समर्थन करता है:
- डेटा शीट मोड 0 ऑपरेशन का वर्णन करती है
• लो-वोल्टेज ऑपरेशन:
- 1.7 वी (वीसीसी = 1.7 वी से 5.5 वी)
• औद्योगिक तापमान रेंज: -40°C से +85°C
• 20 मेगाहर्ट्ज क्लॉक रेट (5V)
• 256‑बाइट पेज मोड
• ब्लॉक राइट प्रोटेक्शन:
- 1/4, 1/2 या संपूर्ण सरणी को सुरक्षित रखें
• हार्डवेयर और सॉफ्टवेयर डेटा सुरक्षा दोनों के लिए राइट-प्रोटेक्ट (WP) पिन और राइट डिसेबल निर्देश
• स्व-समयबद्ध लेखन चक्र 5 एमएस अधिकतम के भीतर
• ESD सुरक्षा > 4,000V
• उच्च विश्वसनीयता:
- सहनशक्ति: 1,000,000 लेखन चक्र
- डेटा प्रतिधारण: 100 वर्ष
• हरा (सीसा रहित/हैलाइड-मुक्त/RoHS अनुपालक) पैकेज विकल्प
• डाई सेल विकल्प: वेफर फॉर्म और बंप्ड वेफर्स
डेटा चित्र: