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FGD3N60UNDF असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद IGBT NPT 600V 6 A 60W सरफेस माउंट TO-252AA

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xउत्पाद विवरण
उत्पादक | onsemi | वर्ग | एकल आईजीबीटी |
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उत्पाद संख्या | FGD3N60UNDF | आईजीबीटी प्रकार | एनपीटी |
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) | 600 वी | वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) | 6ए |
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम) | 9ए | वीसीई (ऑन) (अधिकतम) @ वीजीई, आईसी | 2.52 वी @ 15 वी, 3 ए |
पावर - मैक्स | 60 डब्ल्यू | स्विचिंग ऊर्जा | 52µJ (चालू), 30µJ (बंद) |
निवेष का प्रकार | मानक | गेट प्रभारी | 1.6 एनसी |
टीडी (ऑन/ऑफ) @ 25 डिग्री सेल्सियस | 5.5एनएस/22एनएस | परीक्षण स्थिति | 400 वी, 3 ए, 10 ओम, 15 वी |
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर) | 21 एनएस | परिचालन तापमान | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
माउन्टिंग का प्रकार | माउंट सतह | पैकेज / मामला | TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63 |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | TO-252AA | ||
हाई लाइट | FGD3N60UNDF,असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद,डायोड और ट्रांजिस्टर |
उत्पाद विवरण
FGD3N60UNDF IGBT NPT 600 V 6 A 60 W सरफेस माउंट TO-252AA
डेटा शीट:FGD3N60UNDF
वर्ग | एकल आईजीबीटी |
एमएफआर | Onsemi |
उत्पाद की स्थिति | अप्रचलित |
आईजीबीटी प्रकार | एनपीटी |
वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम) | 600 वी |
वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम) | 6 ए |
वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम) | 9 ए |
वीसीई (ऑन) (अधिकतम) @ वीजीई, आईसी | 2.52 वी @ 15 वी, 3 ए |
पावर - मैक्स | 60 डब्ल्यू |
स्विचिंग एनर्जी | 52µJ (चालू), 30µJ (बंद) |
निवेष का प्रकार | मानक |
गेट प्रभारी | 1.6 एनसी |
टीडी (चालू / बंद) @ 25°सी | 5.5एनएस/22एनएस |
परीक्षण स्थिति | 400 वी, 3 ए, 10 ओम, 15 वी |
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर) | 21 एनएस |
परिचालन तापमान | -55°सी ~ 150°सी (टीजे) |
माउन्टिंग का प्रकार | माउंट सतह |
पैकेज / मामला | TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63 |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | TO-252AA |
आधार उत्पाद संख्या | FGD3N60 |
अतिरिक्त संसाधन
गुण | विवरण |
अन्य नामों | FGD3N60UNDFCT |
FGD3N60UNDFTR | |
FGD3N60UNDFDKR | |
मानक पैकेज | 2500 |
डेटा चित्र:https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fgd3n60undf-d.pdf
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