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STMicroelectronics M24C32-DRMN3TP/K EEPROM मेमोरी IC चिप 32Kbit I²C 1 MHz 450 Ns 8-SOIC

उत्पत्ति के प्लेस अमेरिका
ब्रांड नाम ST
प्रमाणन RoHS
मॉडल संख्या M24C32-DRMN3TP/के
न्यूनतम आदेश मात्रा 2500 पीसी
मूल्य Negotiable
पैकेजिंग विवरण 2500 पीसीएस / टेप
प्रसव के समय दो - तीन दिन
भुगतान शर्तें एल/सी, डी/ए, डी/पी, टी/टी
आपूर्ति की क्षमता 6 के पीसीएस

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उत्पाद विवरण
वर्ग स्मृति एमएफआर STMicroelectronics
शृंखला M24C32-A125 मेमोरी प्रारूप EEPROM
तकनीकी EEPROM मेमोरी का आकार 32 केबीटी
स्मृति संगठन 4 के एक्स 8 मेमोरी इंटरफ़ेस आई²सी
घड़ी की आवृत्ति 1 मेगाहर्ट्ज पहूंच समय 450 एनएस
वोल्टेज आपूर्ति 1.8 वी ~ 5.5 वी
हाई लाइट

M24C32-DRMN3TP/K 1 MHz 450 Ns 8-SOIC

,

M24C32-DRMN3TP/K 450 Ns 8-SOIC

,

450 Ns 8-SOIC M24C32-DRMN3TP/K

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उत्पाद विवरण

M24C32-DRMN3TP/K EEPROM मेमोरी IC 32Kbit I²C 1 MHz 450 Ns 8-SOIC

 

विवरण:

M24C32-A125 एक 32-Kbit सीरियल EEPROM ऑटोमोटिव ग्रेड डिवाइस है जो 125 °C तक काम करता है।M24C32- A125 है

ऑटोमोटिव मानक AEC-Q100 ग्रेड 1 द्वारा परिभाषित अत्यंत उच्च स्तर की विश्वसनीयता के अनुरूप। डिवाइस तक पहुंच है

1 मेगाहर्ट्ज तक चलने वाले एक साधारण सीरियल I2C संगत इंटरफ़ेस द्वारा।मेमोरी ऐरे उन्नत वास्तविक EEPROM पर आधारित है

प्रौद्योगिकी (विद्युत रूप से मिटाने योग्य प्रोग्रामयोग्य मेमोरी)।M24C32-A125 बाइट-परिवर्तनीय यादें (4096 K × 8 बिट्स) व्यवस्थित है

32 बाइट के 128 पृष्ठों के रूप में जिसमें एम्बेडेड त्रुटि सुधार कोड तर्क के साथ डेटा अखंडता में काफी सुधार हुआ है।

M24C32-A125 एक अतिरिक्त पहचान पृष्ठ (32 बाइट) प्रदान करता है जिसमें ST डिवाइस पहचान पढ़ी जा सकती है।यह पृष्ठ

इसका उपयोग संवेदनशील एप्लिकेशन पैरामीटरों को संग्रहीत करने के लिए भी किया जा सकता है जिन्हें बाद में केवल-पढ़ने के लिए मोड में स्थायी रूप से लॉक किया जा सकता है।

 

विशेषताएँ

• AEC-Q100 योग्य

• सभी I2C बस मोड के साथ संगत

– 1 मेगाहर्ट्ज

- 400 किलोहर्ट्ज़

– 100 किलोहर्ट्ज़

• मेमोरी सरणी

- EEPROM का 32 Kbit (4 Kbyte)।

- पेज का आकार: 32 बाइट

- अतिरिक्त लिखने योग्य पृष्ठ (पहचान पृष्ठ)

• विस्तारित तापमान और वोल्टेज रेंज

- -40 डिग्री सेल्सियस से 125 डिग्री सेल्सियस;1.7 वी से 5.5 वी

• शोर फ़िल्टरिंग के लिए श्मिट ट्रिगर इनपुट।

• लघु लेखन चक्र समय

- 4 एमएस के अंदर बाइट लिखें

- 4 एमएस के अंदर पेज लिखें

• चक्र सहनशक्ति लिखें

- 4 मिलियन 25 डिग्री सेल्सियस पर चक्र लिखते हैं

- 1.2 मिलियन 85 डिग्री सेल्सियस पर चक्र लिखते हैं

- 600 k 125 डिग्री सेल्सियस पर चक्र लिखें

• डेटा प्रतिधारण

- 125 डिग्री सेल्सियस पर 50 वर्ष

- 25 डिग्री सेल्सियस पर 100 वर्ष

• ईएसडी सुरक्षा (मानव शरीर मॉडल)

– 4000 वी

• पैकेज

- RoHS अनुरूप और हैलोजन मुक्त (ECOPACK2)

 

त्वरित विवरण:

उत्पादक
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
निर्माता उत्पाद संख्या
M24C32-DRMN3TP/K
विवरण
आईसी EEPROM 32KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
विस्तृत विवरण
EEPROM मेमोरी IC 32Kbit I²C 1 MHz 450 ns 8-SOIC

 

उत्पाद विशेषताएं:

प्रकार
विवरण
वर्ग
याद
एमएफआर
एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स
शृंखला
ऑटोमोटिव, AEC-Q100
उत्पाद की स्थिति
सक्रिय
मेमोरी प्रकार
गैर वाष्पशील
मेमोरी प्रारूप
ईईपीरोम
तकनीकी
ईईपीरोम
मेमोरी का आकार
32 केबी
स्मृति संगठन
4K x 8
मेमोरी इंटरफ़ेस
मैं²सी
घड़ी की आवृत्ति
1 मेगाहर्ट्ज
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ
4ms
पहूंच समय
450 एनएस
वोल्टेज आपूर्ति
1.8V ~ 5.5V
परिचालन तापमान
-40°C ~ 125°C (टीए)
माउन्टिंग का प्रकार
माउंट सतह
पैकेज/केस
8-SOIC (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
8-SOIC
आधार उत्पाद संख्या
एम24सी32

 

अतिरिक्त संसाधन:

गुण विवरण
अन्य नामों
497-14425-1
497-14425-2
497-14425-6
मानक पैकेज 2500

 

डेटाचित्र:

STMicroelectronics M24C32-DRMN3TP/K EEPROM मेमोरी IC चिप 32Kbit I²C 1 MHz 450 Ns 8-SOIC 0

STMicroelectronics M24C32-DRMN3TP/K EEPROM मेमोरी IC चिप 32Kbit I²C 1 MHz 450 Ns 8-SOIC 1