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IRFB7434PBF N चैनल Mosfet Ic 40 V 195A Tc 294W Tc थ्रू होल TO-220AB

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xउत्पाद विवरण
वर्ग | सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी | एमएफआर | इंफिनियोन टेक्नोलॉजीज |
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शृंखला | हेक्सफेट®, स्ट्रॉन्गआईआरफेट™ | उत्पाद की स्थिति | सक्रिय |
एफईटी प्रकार | n- चैनल | तकनीकी | MOSFET (धातु ऑक्साइड) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) | 40 वी | करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C | 195ए (टीसी) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) | 6 वी, 10 वी | आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 3.9V @ 250µA | गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 324 एनसी @ 10 वी |
वीजीएस (अधिकतम) | ± 20 वी | इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 10820 पीएफ @ 25 वी |
बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 294W (टीसी) | परिचालन तापमान | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
माउन्टिंग का प्रकार | छेद के माध्यम से | आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | टू-220AB |
हाई लाइट | mosfet n चैनल लॉजिक लेवल,n चैनल mosfet ic,to 220ab mosfet |
उत्पाद विवरण
आईआरएफबी7434पीबीएफ एन-चैनल 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) छेद से TO-220AB
विशेषताएँ:
वर्ग | सिंगल एफईटी, एमओएसएफईटी |
एमएफआर | इंफिनियोन टेक्नोलॉजीज |
उत्पाद की स्थिति | सक्रिय |
एफईटी प्रकार | n- चैनल |
तकनीकी | MOSFET (धातु ऑक्साइड) |
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस) | 40 वी |
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (आईडी) @ 25°सी | 195ए (टीसी) |
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू) | 6 वी, 10 वी |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी | 3.9 वी @ 250μA |
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस | 324 एनसी @ 10 वी |
वीजीएस (अधिकतम) | ± 20 वी |
इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds | 10820 पीएफ @ 25 वी |
बिजली अपव्यय (अधिकतम) | 294W (टीसी) |
परिचालन तापमान | -55°सी ~ 175°सी (टीजे) |
माउन्टिंग का प्रकार | छेद के माध्यम से |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | टू-220AB |
पैकेज / मामला | TO-220-3 |
अतिरिक्त संसाधन
गुण | विवरण |
अन्य नामों | SP001575514 |
2156-आईआरएफ़बी7434पीबीएफ | |
IFEINFIRFB7434PBF | |
मानक पैकेज | 50 |
डेटा चित्र:https://www.infineon.com/dgdl/irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a43e1e55
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