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STPSC10H065BY-TR एसएमडी डायोड सरफेस माउंट डायोड 650 V 10A DPAK

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xउत्पाद विवरण
उत्पादक | STMicroelectronics | वर्ग | एकल डायोड |
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उत्पाद संख्या | STPSC10H065BY-TR | शृंखला | ऑटोमोटिव, AEC-Q101 |
उत्पाद की स्थिति | सक्रिय | तकनीकी | SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की |
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम) | 650 वी | वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) | 10:00 पूर्वाह्न |
रफ़्तार | कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io) | रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर) | 0 एनएस |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr | 100 μA @ 650 वी | कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ | 480pF @ 0V, 1MHz |
माउन्टिंग का प्रकार | माउंट सतह | पैकेज / मामला | TO-252-3, DPak (2 लीड्स + टैब), SC-63 |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | डीपीएके | ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -40 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
हाई लाइट | एसएमडी डायोड सरफेस 650 वी 10ए एसटीपीएससी10एच065बीवाई-टीआर,एसएमडी डायोड 650 वी 10ए एसटीपीएससी10एच065बीवाई-टीआर,एसएमडी 650 वी 10ए एसटीपीएससी10एच065बीवाई-टीआर |
उत्पाद विवरण
STPSC10H065BY-TR डायोड 650 वी 10ए सरफेस माउंट डीपीएके
डेटा शीट:STPSC10H065BY-TR
वर्ग | एकल डायोड |
एमएफआर | एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स |
शृंखला | ऑटोमोटिव, AEC-Q101 |
उत्पाद की स्थिति | सक्रिय |
तकनीकी | SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की |
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम) | 650 वी |
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) | 10:00 पूर्वाह्न |
रफ़्तार | कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं > 500mA (Io) |
रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr) | 0 एन.एस |
करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर | 100μA@ 650 वी |
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ | 480pF @ 0V, 1MHz |
माउन्टिंग का प्रकार | माउंट सतह |
पैकेज/केस | टीओ-252-3, डीपैक (2 लीड्स + टैब), एससी-63 |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | डीपीएके |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | -40डिग्री सेल्सियस~175डिग्री सेल्सियस |
आधार उत्पाद संख्या | एसटीपीएससी10 |
अतिरिक्त संसाधन
गुण | विवरण |
अन्य नामों | 497-18139-2 |
497-18139-1 | |
497-18139-6 | |
मानक पैकेज | 2500 |
डेटा चित्र:https://www.st.com/resource/en/dataशीट/stpsc10h065by-tr.pdf
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