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25LC512T-I/SN फ्लैश आईसी मेमोरी EEPROM 512Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC

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xवर्ग | स्मृति | एमएफआर | माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी |
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पैकेट | टेप और रील (टीआर)/कट टेप (सीटी) | मेमोरी प्रकार | गैर वाष्पशील |
मेमोरी प्रारूप | EEPROM | तकनीकी | EEPROM |
मेमोरी का आकार | 512 केबीटी | स्मृति संगठन | 64 के एक्स 8 |
मेमोरी इंटरफ़ेस | एसपीआई | घड़ी की आवृत्ति | 20 मेगाहर्ट्ज |
वोल्टेज आपूर्ति | 2.5 वी ~ 5.5 वी | परिचालन तापमान | -40 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस (टीए) |
हाई लाइट | फ्लैश आईसी इप्रोम,आईसी फ्लैश मेमोरी,25एलसी512टी-आई/एसएन डेटाशीट |
25LC512T-I/SN EEPROM मेमोरी IC 512Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
विवरण:
माइक्रोचिप टेक्नोलॉजी इंक. 25LC512 बाइट-लेवल और पेज-लेवल के साथ 512 Kbit सीरियल EEPROM मेमोरी है
सीरियल EEPROM कार्य करता है।इसमें आमतौर पर फ्लैश-आधारित से जुड़े पेज, सेक्टर और चिप इरेज़ फ़ंक्शंस भी शामिल हैं
उत्पादों।बाइट या पेज राइट ऑपरेशंस के लिए इन कार्यों की आवश्यकता नहीं है।मेमोरी को एक साधारण सीरियल के माध्यम से एक्सेस किया जाता है
पेरिफेरल इंटरफेस (एसपीआई) संगत सीरियल बस।आवश्यक बस सिग्नल एक क्लॉक इनपुट (SCK) और अलग डेटा (SI) हैं
और डेटा आउट (एसओ) लाइनें।डिवाइस तक पहुंच चिप चयन (सीएस) इनपुट द्वारा नियंत्रित होती है।
त्वरित विवरण:
उत्पादक
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माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी
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निर्माता उत्पाद संख्या
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25LC512T-I/एस.एन
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विवरण
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आईसी EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
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विस्तृत विवरण
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EEPROM मेमोरी IC 512Kbit SPI 20 MHz 8-SOIC
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उत्पाद विशेषताएं:
प्रकार
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विवरण
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वर्ग
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याद
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एमएफआर
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माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी
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उत्पाद की स्थिति
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सक्रिय
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डिजी-की प्रोग्रामेबल
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सत्यापित
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मेमोरी प्रकार
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गैर वाष्पशील
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मेमोरी प्रारूप
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EEPROM
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तकनीकी
|
EEPROM
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मेमोरी का आकार
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512 केबीटी
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स्मृति संगठन
|
64 के एक्स 8
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मेमोरी इंटरफ़ेस
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एसपीआई
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घड़ी की आवृत्ति
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20 मेगाहर्ट्ज
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चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ
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5ms
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वोल्टेज आपूर्ति
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2.5 वी ~ 5.5 वी
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परिचालन तापमान
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-40 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस (टीए)
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माउन्टिंग का प्रकार
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माउंट सतह
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पैकेज / मामला
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8-एसओआईसी (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
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आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
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8-एसओआईसी
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आधार उत्पाद संख्या
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25LC512
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अतिरिक्त संसाधन:
गुण | विवरण |
अन्य नामों |
25LC512TISN
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25LC512T-I/SNDKR
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25LC512T-I/SNTR
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25LC512T-I/एसएनसीटी
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मानक पैकेज | 3300 |
विशेषताएँ
• अधिकतम 20 मेगाहर्ट्ज।घडी की गति
• बाइट और पेज-लेवल राइट ऑपरेशंस:
- 128-बाइट पेज
- 5 एमएस मैक्स।
- कोई पेज या सेक्टर मिटाने की आवश्यकता नहीं है
• निम्न-शक्ति CMOS प्रौद्योगिकी:
- मैक्स।करंट लिखें: 5 mA 5.5V, 20 MHz पर
- वर्तमान पढ़ें: 5.5V पर 10 mA, 20 MHz
- स्टैंडबाय करंट: 1A 2.5V पर (डीप पॉवरडाउन)
• डिवाइस आईडी के लिए इलेक्ट्रॉनिक हस्ताक्षर
• स्व-समय पर मिटाएं और चक्र लिखें:
- पृष्ठ मिटाना (5 एमएस, विशिष्ट)
- सेक्टर इरेज़ (10 एमएस/सेक्टर, विशिष्ट)
- बल्क इरेज़ (10 एमएस, विशिष्ट)
• सेक्टर राइट प्रोटेक्शन (16K बाइट/सेक्टर):
- कोई नहीं, 1/4, 1/2 या सभी सरणी को सुरक्षित रखें
• अंतर्निहित लेखन सुरक्षा:
- पावर-ऑन/ऑफ डेटा सुरक्षा सर्किट्री
- सक्षम कुंडी लिखें
- राइट-प्रोटेक्ट पिन
• उच्च विश्वसनीयता:
- सहनशक्ति: 1 मिलियन मिटाने/लिखने के चक्र
- डेटा प्रतिधारण:> 200 वर्ष
- ईएसडी सुरक्षा:> 4000 वी
• तापमान रेंज समर्थित:
- औद्योगिक (आई): -40 डिग्री सेल्सियस से + 85 डिग्री सेल्सियस
- विस्तारित (ई): -40 डिग्री सेल्सियस से +125 डिग्री सेल्सियस
• RoHS कॉम्प्लाइंट
• ऑटोमोटिव AEC-Q100 योग्य
डेटा चित्र: