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SCS212AJTLL डिस्क्रीट ROHM सेमीकंडक्टर डायोड 650 V 12A सरफेस माउंट TO-263AB

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xउत्पाद विवरण
उत्पाद संख्या | SCS212AJTLL | उत्पादक | रोहम सेमीकंडक्टर |
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तकनीकी | SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की | वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम) | 650 वी |
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) | 12ए | वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर | 1.55 वी @ 12 ए |
रफ़्तार | कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io) | रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर) | 0 एनएस |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr | 240 µA @ 600 वी | माउन्टिंग का प्रकार | माउंट सतह |
पैकेज / मामला | TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB | ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) |
हाई लाइट | SCS212AJTLL,SCS212AJTLL ROHM सेमीकंडक्टर,असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद |
उत्पाद विवरण
SCS212AJTLL डायोड 650 V 12A सरफेस माउंट TO-263AB
डेटा शीट:SCS212AJTLL
वर्ग | एकल डायोड |
एमएफआर | रोहम सेमीकंडक्टर |
उत्पाद की स्थिति | सक्रिय |
तकनीकी | SiC (सिलिकॉन कार्बाइड) शोट्की |
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम) | 650 वी |
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ) | 12ए |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर | 1.55 वी @ 12 ए |
रफ़्तार | कोई पुनर्प्राप्ति समय नहीं> 500mA (Io) |
रिवर्स रिकवरी टाइम (टीआरआर) | 0 एनएस |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr | 240μA@ 600 वी |
माउन्टिंग का प्रकार | माउंट सतह |
पैकेज / मामला | TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB |
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | TO-263AB |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन | 175°सी (अधिकतम) |
आधार उत्पाद संख्या | एससीएस212 |
विशेषताएँ:
・कम वसूली समय
・कम तापमान निर्भरता
· हाई-स्पीड स्विचिंग संभव है
अनुप्रयोग
· पीएफसी बूस्ट टोपोलॉजी
· माध्यमिक पक्ष सुधार
·डेटा सेंटर
· पीवी पावर कंडीशनर
डेटाचित्र:https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/sic/sbd/scs212aj-e.pdf
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