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तोशिबा TK090N65Z,S1F(S N चैनल MOSFET 650V 30A 0.075ohm TO-247
| Place of Origin | JAPAN |
|---|---|
| ब्रांड नाम | Toshiba |
| प्रमाणन | ROHS |
| Model Number | TK090N65Z,S1F(S |
| Minimum Order Quantity | 1000 |
| Delivery Time | 2-3DAYS |
| Payment Terms | TT Advance |
| Supply Ability | 50k/month |
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xउत्पाद विवरण
| चिप टाइप | पावर आईसी | पैकेज का प्रकार | टू-247 |
|---|---|---|---|
| आर्द्रता सीमा | 5% ~ 95% आरएच | आवेदन | बिजली की आपूर्ति स्विचिंग |
| मौजूदा | 30-120ए | तापमान की रेंज | -55℃~+150℃ |
| आकार | 13.63*16.95एमएम | ||
| हाई लाइट | 650 वी पावर आईसी चिप,30A पावर आईसी चिप,0.075ohm पावर आईसी चिप |
||
आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
| Characteristics | Symbol | Rating | Unit | |
|---|---|---|---|---|
| Drain-source voltage | VDSS | 650 | V | |
| Gate-source voltage | VGSS | ±30 | V | |
| Drain current (DC) | IDI | 30 | A | |
| Drain current (pulsed) | IDP | 120 | A | |
| Single-pulse avalanche energy | EAS | 265 | mJ | |
| Single-pulse avalanche current | IAS | 7.5 | A | |
| Reverse drain current (DC) | IDR | 30 | A | |
| Reverse drain current (pulsed) | Idrp | 120 | A | |
| Channel temperature | Tch | 150 | °C | |
| Storage temperature | Tstg | -55 to 150 | °C |
उत्पाद विवरण
उत्पाद का वर्णन:
पावर आईसी चिप उत्पाद अवलोकन
पावर आईसी चिप तोशिबा द्वारा निर्मित चिप का एक प्रकार है। इसका तापमान -55°C से +150°C तक का है और इसका व्यापक रूप से कई उद्योगों में उपयोग किया जाता है। यह चिप MOSFET N तकनीक के साथ डिज़ाइन की गई है,और विशिष्ट मॉडलों में TK090N65Z शामिल हैं, S1F(S1FN) और S1V(S1VN) । यह एक विस्तृत शक्ति रेंज को संभाल सकता है और इसका ऑपरेटिंग तापमान रेंज भी -55°C से +150°C तक है।यह -55°C से +150°C तक के विस्तारित भंडारण तापमान रेंज के साथ विश्वसनीय और टिकाऊ है.
विशेषताएं:
- उत्पाद का नामः पावर आईसी चिप
- अनुप्रयोगः स्विचिंग पावर सप्लाई
- शक्तिः MOSFET N
- वोल्टेजः VDSS 650V
- तापमान सीमाः -55°C~+150°C
- ऑपरेटिंग तापमानः -55°C~+150°C
- कीवर्डः Toshiba TK090N65Z,S1F(S, MOSFET N
तकनीकी मापदंडः
| शक्ति | 650V, 30A |
|---|---|
| भंडारण तापमान | -55°C~+150°C |
| तापमान सीमा | -55°C~+150°C |
| वोल्टेज | वीडीएसएस 650 वी |
| चिप का प्रकार | पावर आईसी |
| आकार | 13.63*16.95MM |
| परिचालन तापमान | -55°C~+150°C |
| आर्द्रता सीमा | 5% से 95% आरएच |
| पैकेज का प्रकार | TO-247 |
| आवेदन | विद्युत आपूर्ति को स्विच करना |
| MOSFET N | 30A |
अनुप्रयोग:
तोशिबा TK090N65Z,S1F(S पावर आईसी चिप का व्यापक रूप से स्विचिंग पावर सप्लाई और अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है जहां उच्च धारा की आवश्यकता होती है। यह 650V, 30A, TO-247 MOSFET एन-चैनल पावर डिवाइस है।यह RoHS प्रमाणित है और 50Hz से 60Hz तक उच्च आवृत्ति संचालन प्रदान करता है. डिवाइस में एक कम प्रोफ़ाइल है और उच्च तापमान संचालन के लिए उपयुक्त है। यह भी हल्के वजन का है, केवल 6.15 ग्राम वजन। भंडारण तापमान रेंज -55 °C से +150 °C है।न्यूनतम आदेश मात्रा 1000 यूनिट है और वितरण समय 2-3 दिन हैभुगतान की शर्तें टीटी एडवांस हैं और आपूर्ति क्षमता 50 हजार/महीने है।
सहायता एवं सेवाएं:
पावर आईसी चिप तकनीकी सहायता और सेवाएं
हम पावर आईसी चिप उत्पादों के लिए तकनीकी सहायता और सेवाएं प्रदान करते हैं जिनमें शामिल हैंः
- तकनीकी परामर्श और समस्या निवारण
- सॉफ्टवेयर अद्यतन
- उत्पाद का रखरखाव और मरम्मत
- उत्पाद अनुकूलन
- तकनीकी प्रशिक्षण
आगे की सहायता के लिए कृपया हमसे संपर्क करेंsupport@powericchip.com.
पैकिंग और शिपिंगः
पैकेजिंग और शिपिंग
पावर आईसी चिप को सावधानीपूर्वक एक स्थैतिक मुक्त पैकेजिंग सामग्री में पैक किया जाता है जो शिपिंग के दौरान किसी भी भौतिक क्षति से बचाने के लिए सील किया जाता है। पैकेज को फिर उत्पाद नाम के साथ लेबल किया जाता है,सीरियल नंबर, संशोधन संख्या, और निर्माण की तारीख। फिर इसे एक सुरक्षित, पूरी तरह से बीमाकृत बॉक्स में ग्राहक को भेज दिया जाता है।
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