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TC58BVG0S3HTA00 नंद फ्लैश मेमोरी आईसी चिप SLC 1Gbit समानांतर 25 Ns 48-TSOP
| वर्ग: | स्मृति |
|---|---|
| एमएफआर: | कियॉक्सिया अमेरिका, इंक। |
| शृंखला: | बेनंद™ |
2.7V वोल्टेज फ्लैश मेमोरी आईसी चिप KIOXIA/TOSHIBA TC58BVG1S3HTA00 512MB SLC
| त्रुटि सुधार कोड: | गैर ECC |
|---|---|
| आधार - सामग्री दर: | 3200 मेगाहर्ट्ज |
| वोल्टेज: | 1.2 वी |
2.7V वोल्टेज फ्लैश मेमोरी आईसी चिप KIOXIA/TOSHIBA TC58NVG2S0HTAI0 512MB SLC
| बनाने का कारक: | टीएसओपी |
|---|---|
| वोल्टेज: | 2.7V ~ 3.6V |
| श्रृंखला: | ट्रे |
8GB eMMC iNAND AT EM122 ग्रेड2 SDINBDG4-8G-ZAT WD/SanDisk
| ऊष्मा फैलानेवाला: | नहीं |
|---|---|
| याददाश्त क्षमता: | 8 जीबी |
| वारंटी: | जीवनभर |
मॉड्यूल मेमोरी आईसी चिप 8GB EMMC5.1 HS400 KLM8G1GETF-B041 SAMSUNG
| बनाने का कारक: | डीआईएमएम |
|---|---|
| ऊष्मा फैलानेवाला: | नहीं |
| वारंटी: | जीवनभर |
TOSHIBA KIOXIA 8GB EMMC THGBMJG6C1LBAIL
| श्रृंखला: | हाइपरएक्स फ्यूरी |
|---|---|
| बनाने का कारक: | डीआईएमएम |
| मेमोरी प्रकार: | eMMC |
TOSHIBA KIOXIA 4GB EMMC5.0 FG THGBMNG5D1LBAIT
| बनाने का कारक: | डीआईएमएम |
|---|---|
| वारंटी: | जीवनभर |
| मॉड्यूल प्रकार: | असंबद्ध |
विस्तारित जीवनकाल के लिए 64GB क्षमता के साथ EMMC मेमोरी IC चिप SDINBDG4-64G-XI1 SANDISK
| वोल्टेज: | 1.2 वी |
|---|---|
| प्रकाश नेतृत्व: | नहीं |
| मेमोरी प्रकार: | eMMC |
Micron MT29F16G08ABACAWP-ITZ: सी फ्लैश मेमोरी आईसी चिप
| आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | 48-TSOP MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C |
|---|---|
| पैकेज / मामला: | 48-टीएफएसओपी (0.724", 18.40 मिमी चौड़ाई) |
| मेमोरी का आकार: | 32 जीबीटी |
STMicroelectronics M24C32-DRMN3TP/K EEPROM मेमोरी IC चिप 32Kbit I²C 1 MHz 450 Ns 8-SOIC
| वर्ग: | स्मृति |
|---|---|
| एमएफआर: | STMicroelectronics |
| शृंखला: | M24C32-A125 |